存储技术
HBM格局生变！传三星HBM3量产供货英伟达，国内厂商积极布局
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据韩媒sedaily 的最新报道，三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时，美光已经为英伟达供应HBM3E。至此，高端HBM内存的供应由SK海力士一家...
单颗256GB，单一封装达4TB容量，铠侠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC开始送样
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，铠侠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量，将存储器容量提升到一个全新的...
NAND Flash与NOR Flash：坏块管理需求的差异解析
NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术，它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。...
预计2025年存储器产业营收将创新高
在全球科技产业的快速发展浪潮中，存储器产业正迎来前所未有的繁荣期。据知名研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业分析报告显示，受多重利好因素共同驱动，该产业未来几年内...
超盈智能科技引领存储新纪元,天河玄女KM3000固态硬盘震撼发布
深耕存储领域十三载的超盈智能科技，携其旗下品牌KEYMOS科摩思，再次在DIY装机市场投下震撼弹。继旗舰级固态赤霄白帝KM7000之后，科摩思迅速响应市场需求，推出专为DIY主流用户量身打造的固...
美光推出全新MRDIMM内存，引领数据中心内存新纪元
在科技日新月异的今天，数据中心作为支撑云计算、大数据、人工智能等前沿技术的基础设施，其性能与效率的提升成为了行业关注的焦点。面对日益复杂和庞大的工作负载，尤其是虚拟化多租...
三星2024年底量产256GB CXL 2.0内存模块
在半导体存储技术的创新浪潮中，三星电子再次走在行业前列，为市场带来了令人瞩目的新进展。据韩国权威媒体报道，三星电子内存部门新业务规划团队的核心人物——Choi Jang Seok，于近日宣...
国产替代浪潮涌，新质生产力助降本增效：2024EeIE智博会圆满收官
随着科技的飞速发展，智能装备产业正以前所未有的速度引领着制造业的转型升级。2024年7月18日至20日，备受瞩目的2024EeIE智博会在深圳国际会展中心（宝安）圆满落下帷幕。这场为期三天的盛...
2024-07-22标签：EeIE智博会62
忆联SSD存储解决方案亮相2024中国国际金融展
7月19日，为期三天的2024中国国际金融展（简称：金融展）在北京国家会议中心开幕。作为国内领先的存储解决方案提供商，忆联携其最新一代PCIe Gen5企业级SSD及全场景解决方案亮相，并将以“...
美光科技推出多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)
全球领先的半导体存储解决方案提供商美光科技（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布成功推出其首款多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM），这一创新产品旨在助力客户应对日益复杂的工作负载...
NAS设备铁威马F4-424是如何从市场中脱颖而出的
在当今数字化时代，个人与家庭对数据存储与安全的重视日益增长，网络附加存储（NAS）设备凭借其便捷高效的特点，逐渐成为家庭数据管理的首选方案。然而，面对市场上纷繁复杂的NAS产品，...
三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市场
近日，韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正全力投入到低延迟宽I/O（LLW DRAM）内存的研发中，旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器（XR设备）订单做好充分准备。这一举措标志着三星在...
FPGA如何估算分析功耗
FPGA的功耗由4部分组成：上电功耗、配置功耗、静态功耗和动态功耗。一般的FPGA都具有这4种功耗，但是Actel Flash FPGA由于掉电数据不丢失，无需配置芯片，所以上电后不需要一个很大的启动电流...
三星电子存储芯片价格大幅上调，中国市场面临挑战与机遇
近日，三星电子宣布了一项重大市场决策，计划在第三季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后，是人工智能领域对高性能存储芯片需求的急剧攀升，预示着存储芯片...
三星HBM3e获英伟达认证，加速DRAM产能转型
近日，三星电子在半导体领域再传捷报，其高频宽内存（HBM）产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达（NVIDIA）的严格认证，标志着该产品即将进入规模化生产阶段，预计在本季度...
三星电子公布2024年异构集成路线图,LP Wide I/O移动内存即将面世
7月17日，三星电子公布了其雄心勃勃的2024年异构集成路线图，其中一项关键研发成果引发了业界广泛关注——一款名为LP Wide I/O的创新型移动内存即将面世。这款内存不仅预示着存储技术的又一...
三星HBM3E批量出货在即，DDR5市场或迎供应紧张与价格上涨
在半导体存储领域，三星电子的每一次技术突破与产能调整都牵动着市场的神经。近期，业内传出消息，三星电子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存储器即将完成批量出货验证，这一消息不仅标志...
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息，该公司计划于2026年在其高性能内存（High Bandwidth Memory, HBM）的生产过程中引入混合键合技术，这一举措不仅标...
FeRAM和MRAM的比较
FeRAM，全称Ferroelectric RAM（铁电随机存取存储器），是一种基于铁电材料特性的非易失性存储器技术。它类似于传统的SDRAM（同步动态随机存取存储器），但在存储单元中使用了具有铁电性的材料...
简述RAM和ROM的区别
RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）和ROM（Read-Only Memory，只读存储器）是计算机系统中两种不同类型的存储器，它们在构造、用途、存储原理、数据可修改性、数据保存、数据访问速度、存...
一文读懂常见存储器类型
存储器是计算机系统中用于存储和读取数据的硬件组件，根据存储介质和工作原理的不同，存储器可以分为多种类型。本文将从易失性存储器和非易失性存储器两大类别出发，详细介绍几种常见...
SDRAM的发展经历和工作原理
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），即同步动态随机存取存储器，是计算机系统中使用最广泛的内存类型之一。它的发展历程可以追溯到多个技术迭代，每个阶段都带来了性能上的显著提升...
人工智能热潮驱动HBM需求飙升,行业巨头竞相扩产
7月12日，随着人工智能技术的日新月异，作为其核心技术支撑的高频宽存储器（HBM）正成为市场关注的焦点，供不应求的态势愈发明显。面对这一挑战，存储器行业的领军者SK海力士、三星与美...
佰维存储第三届“Factory Tour”即将启航，诚邀梦想少年共赴精彩“芯”程！
从机器学习到AIGC 从智能手机到AI手机 从智能穿戴到空间计算 每一比特的数据跃动 都点亮了无数的便捷与可能 存储芯片 以方寸之躯，承载着浩瀚的数据 而芯片微型化、高性能、大容量 的“奇...
2024-07-08标签：佰维存储73
