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宽禁带半导体技术
氮化镓(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构: 氮化镓...
在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...
碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...
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氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料 ➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电...2023-09-04标签:7640
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光子是量子力学的基本粒子之一。对光量子态的有效操控和调制,是量子计算、量子保密通信等应用的基石。手性光子源可以在光源芯片内实现对光量子态的原位调制,有利...2023-08-21标签:3540
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芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之...2023-08-16标签:4260
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金刚石具有优良的光学性能,高质量 CVD 金刚石薄膜具有十分优良的光学性能,除 3~6 μm 范围内的双声子区域存在晶格振动而产生的本征吸收峰外,在室温...2023-08-03标签:4680
宽禁带半导体资讯
开关损耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN开始进军光储、家电市场
电子发烧友网报道(文/黄山明)随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后,因其优秀的特性,迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看,GaN已经在...
来源:西安电子科技大学 6月24日,2023年度国家科学技术奖在京揭晓,共评选出250个项目和12名科技专家。其中,国家最高科学技术奖2人,国家自然科学...
在全球半导体产业日新月异的今天,芯片制造商Nexperia(安世半导体)再次展现了其前瞻性的战略布局。近日,该公司宣布将投资高达2亿美元,用于在德国汉堡...
在全球半导体市场日新月异的今天,荷兰半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布,计划投资高达...
安世半导体Nexperia将在汉堡投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)
半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
安世半导体受邀参加2024第三代半导体技术与产业链创新发展论坛
在高频高压应用领域,宽禁带材料不可替代的优势正在加速相关产品的研发与落地应用。制造技术的进步,也让其成本更有竞争力。需求拉动叠加成本降低,宽禁带半导体的...
功率电子学在现代科技领域扮演着举足轻重的角色,尤其是在可再生能源和电动交通领域。为了满足日益增长的高效率、小巧紧凑组件的需求,我们需充分认识并保证宽禁带...
碳化硅功率器件及模块正加速从高端产品向下渗透。“现在售价为20万元以上的800V电动汽车,碳化硅功率器件渗透率约为一半,可以全驱配置,或只配置主驱。
宽禁带半导体数据手册
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