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光伏微逆、数据中心先行,GaN OBC也在加快进度

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)去年12月,英飞凌公布了自己的OBC产品战略路线,未来将采用SiC和GaN等第三代半导体来提高OBC功率密度,其中GaN会...

2024-07-17标签:光伏数据中心GaN24220

在混合电源设计上,Si、SiC、GaN如何各司其职?

在混合电源设计上,Si、SiC、GaN如何各司其职?

  电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年5月英飞凌公布了专为AI数据中心设计的PSU(电源供应单元)路线图,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...

2024-07-08标签:电源SiCGaN29380

GaN MOSFET 器件结构及原理

GaN MOSFET(氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比...

2024-07-14标签:MOSFETGaN金属3060

采用集成智能GaN IC设计电动汽车辅助电源

采用集成智能GaN IC设计电动汽车辅助电源

电动汽车中的辅助电源,也被称为辅助电源模块(APM),是车辆不可或缺的组成部分。其主要功能是将动力电池中的电能高效地传输给低压电气负载和12V蓄电池。随...

2024-07-10标签:电动汽车电源GaN1000

在高密度GaN优化型PFC转换器中解决交流压降恢复问题

在高密度GaN优化型PFC转换器中解决交流压降恢复问题

欢迎再次来到我们的技术专栏——模拟芯视界。在上一期中,我们介绍了 EMI(特别是辐射发射)的来源,以及一系列旨在减少模拟信号链的 EMI 的技术,包括详...

2024-07-08标签:转换器德州仪器GaN1470

瑞萨电子氮化镓场效应晶体管的优势

瑞萨电子氮化镓场效应晶体管的优势

氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星,它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度,有效满足当前的市场需求和趋势。

2024-07-05标签:逆变器GaN瑞萨电子3040

纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017在激光雷达中的优势

纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017在激光雷达中的优势

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD...

2024-07-01标签:GaN驱动芯片激光雷达2910

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光伏微逆、数据中心先行,GaN OBC也在加快进度

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)去年12月,英飞凌公布了自己的OBC产品战略路线,未来将采用SiC和GaN等第三代半导体来提高OBC功率密度,其中GaN会...

2024-07-17标签:光伏数据中心GaN24220

英飞凌重磅发布多款CoolGaN系列新品

在全球瞩目的慕尼黑电子展(Electronica)上,半导体巨头英飞凌再次展现了其创新实力,通过一场盛大的媒体发布会,隆重推出了多款CoolGaN™系列...

2024-07-12标签:英飞凌晶体管GaN4500

格芯收购 Tagore Technology 的 GaN 技术

来源:Silicon Semiconductor 此次技术收购扩展了 GF(格芯) 的电源管理解决方案和差异化路线图。 GlobalFoundries ...

2024-07-08标签:GaNTechnology1820

氮化镓(GaN)的最新技术进展

氮化镓(GaN)的最新技术进展

本文要点氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的...

2024-07-06标签:半导体氮化镓GaN2880

在混合电源设计上,Si、SiC、GaN如何各司其职?

在混合电源设计上,Si、SiC、GaN如何各司其职?

  电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年5月英飞凌公布了专为AI数据中心设计的PSU(电源供应单元)路线图,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...

2024-07-08标签:电源SiCGaN29380

Si+SiC+GaN混合方案,解决数据中心PSU高功率需求

Si+SiC+GaN混合方案,解决数据中心PSU高功率需求

  电子发烧友网报道(文/梁浩斌)AI浪潮下对数据中心的需求量激增,而功耗越来越高的AI算力芯片,需要数据中心PSU(电源供应单元)提供更高的功率,同时...

2024-07-05标签:数据中心SiCGaN30180

开关损耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN开始进军光储、家电市场

电子发烧友网报道(文/黄山明)随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后,因其优秀的特性,迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看,GaN已经在...

2024-07-04标签:SiCGaN宽禁带半导体38430

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增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM
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