基于台积电3nm制程：谷歌Tensor G5进入流片阶段

近日，有消息透露，谷歌计划用于明年旗舰产品的Tensor G5芯片基于台积电3nm制程工艺，目前已经进入流片阶段。

据悉，Tensor G5代号Laguna Beach（拉古纳海滩），将通过台积电InFo_PoP晶圆级扇出封装技术实现SoC和DRAM的堆叠，支持16GB以上内存。

此外，Tensor G5的全自研，将意味着谷歌可完成对Pixel设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控，有助于实现更深度的软硬件整合。

对于谷歌来说，Tensor G5如果能够顺利流片，将意味着它的首款全自研手机SoC距离成功近了一大步。