-
据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型...
-
对此,国家第三代半导体技术创新中心(南京) 组织核心研发团队和全线配合团队 历时4年,不断尝试新工艺 最终建立全新工艺流程 突...
-
文章称,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造...
查看更多
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
2024年9月2日 对此,国家第三代半导体技术创新中心(南京)组织核心研发团队和全线配合团队,历时4年,不断尝试新工艺,最终建立全新工艺流程,突破“挖坑”难、稳、准等难点,成功制造出沟槽型碳...
全球瞩目!中国突破碳化硅芯片核心技术,打破国际垄断!
3天前 据最新的消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历经四年自主研发,成功突破了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术,标志着我国在这一领域实现了首次重大突破。在国家第三代半导体技...
充电头网
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投...
2024年9月3日 4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用 快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳...
快科技
大家还在搜
西方忧虑成现实,中国半导体实现重大突破,自主可控能力显著...
2024年8月21日 近年来,中微在技术上继续突破,目前已实现3nm刻蚀机并量产,客户包括台积电、中芯等国际顶级晶圆厂。中微在技术和市场表现方面都表现突出。到目前为止,中微已在全球部署了约3700...
科普本
中国半导体的崛起,比大家想象的还快!
6天前 面对高端GPU、CPU等核心器件上的差距,依然需要技术积累和时间沉淀来追赶国际巨头。数据显示,中国每年进口半导体的花费高达3000亿美元,这意味着国内自给率仍有很大的提升空间。接下来要走...
陈陈有享
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投...
2024年9月3日 中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用 快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳...