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据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型...
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对此,国家第三代半导体技术创新中心(南京) 组织核心研发团队和全线配合团队 历时4年,不断尝试新工艺 最终建立全新工艺流程 突...
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文章称，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造...
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国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
2024年9月2日 对此，国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时4年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳...
全球瞩目!中国突破碳化硅芯片核心技术,打破国际垄断!
3天前 据最新的消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经四年自主研发，成功突破了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术，标志着我国在这一领域实现了首次重大突破。在国家第三代半导体技...
充电头网
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投...
2024年9月3日 4年自主研发！中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用 快科技9月3日消息，据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京），成功攻克沟槽型碳...
快科技
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西方忧虑成现实,中国半导体实现重大突破,自主可控能力显著...
2024年8月21日 近年来，中微在技术上继续突破，目前已实现3nm刻蚀机并量产，客户包括台积电、中芯等国际顶级晶圆厂。中微在技术和市场表现方面都表现突出。到目前为止，中微已在全球部署了约3700...
科普本
中国半导体的崛起,比大家想象的还快!
6天前 面对高端GPU、CPU等核心器件上的差距，依然需要技术积累和时间沉淀来追赶国际巨头。数据显示，中国每年进口半导体的花费高达3000亿美元，这意味着国内自给率仍有很大的提升空间。接下来要走...
陈陈有享
中国急需攻克5大顶尖技术,一旦突破,将不怕任何国家的垄断
6天前 一、5G芯片制造：打破技术封锁，实现自主创新 5G技术作为新一代信息技术的核心，对国家发展具有战略意义。然而，中国在5G芯片制造领域长期面临西方国家的技术封锁和贸易制裁。尽管中国企业如...
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